1 引言
以集成電路為核心的電子信息產(chǎn)業(yè)已成為我國一大產(chǎn)業(yè)，成為改造和拉動傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的強大引擎和技術(shù)基礎(chǔ)。當今世界經(jīng)濟競爭中，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的IC已成為經(jīng)濟發(fā)展的命脈、競爭的籌碼和國家 的保障。
集成電路制造過程中清洗硅片表面的污染和雜質(zhì)是清洗的主要目的，在制造過程中，幾乎每道工序都涉及到清洗，而且集成電路的集成度越高，制造工序越多，所需的清洗工序也越多[1]。在諸多的清洗工序中，只要其中某一工序達不到要求，則將前功盡棄，導致整批芯片的報廢，所以可以毫不夸張地說，沒有 的清洗技術(shù)，便沒有集成電路和 規(guī)模集成電路的 。
傳統(tǒng)清洗技術(shù)主要使用酸、堿、雙氧水、甲苯、三氯乙烯、氟利昂等化學試劑，成本高，而且有毒，有腐蝕性，危害 與健康并污染環(huán)境，特別是氟利昂等ODS物質(zhì)研究破壞地球臭氧層，危及人類生態(tài)環(huán)境，上限期禁止生產(chǎn)和使用的物質(zhì)。多年來，國內(nèi)外科學家就致力于研究 ，無腐蝕性的清洗工藝，但尚未取得突破。
隨著芯片尺寸加大，工藝線寬減小，從90nm工藝開始，以往在清洗過程中使用的超聲波清洗遇到一些問題，如造成半導體器件結(jié)構(gòu)損傷，在65nm及以下工藝，其損傷程度可能會加劇。芯片中的深溝槽結(jié)構(gòu)清洗時清洗液和漂洗去離子水很難進入結(jié)構(gòu)內(nèi)部，難以達到清洗目的。高堆疊式和深溝槽式結(jié)構(gòu)清洗后的干燥過程也是很關(guān)鍵的技術(shù)問題。一般小于130nm工藝中，要求 所有大于或等于100nm的顆粒，而由于表面邊界層的限制，現(xiàn)行清洗技術(shù)，如液體或高壓(液體)噴射清洗已無法洗去100nm的顆粒。還有如何在后段 光刻膠，同時保證不腐蝕銅導線和不改變低k電介質(zhì)的電介常數(shù)等都是當前清洗技術(shù)面臨的問題。
2 現(xiàn)代清洗技術(shù)中的關(guān)鍵要求
在未來90～65nm節(jié)點技術(shù)工藝中，除了要考慮清洗后的硅片表面的微粗糙度及自然氧化物 率等技術(shù)指標外，也要考慮對環(huán)境的污染以及清洗的效率其經(jīng)濟效益等。
硅片清洗技術(shù)評價的主要指標可以歸納為：
(1)微粗糙度(RMS);
(2)自然氧化物 率;
(3)金屬沾污、表面顆粒度以及有機物沾污，其他指標還包括：
(4)芯片的破損率;
(5)清洗中的再沾污;
(6)對環(huán)境的污染;
(7)經(jīng)濟的可接受性(包括設(shè)備與運行成本、清洗效率)等。
金屬沾污在硅片上是以范德華引力、共價鍵以及電子轉(zhuǎn)移等三種表面形式存在的[2]。這種沾污會破壞薄氧化層的完整性，增加漏電流密度，影響MOS器件的穩(wěn)定性，重金屬離子會增加暗電流，情況為結(jié)構(gòu)缺陷或霧狀缺陷。何良恩等人對300mm硅片表面清洗要求的演變做了總結(jié)
表面顆粒度會引起圖形缺陷、外延前線、影響布線的完整性以及鍵合強度和表層質(zhì)量。顆粒的 與靜電排斥作用有關(guān)，所以硅片表面呈正電時，容易降低顆粒 效率，甚至出現(xiàn)再沉淀。
傳統(tǒng)的濕法化學清洗中所需要解決的主要問題有：化學片的純度、微粒的產(chǎn)生、金屬雜質(zhì)的污染、干燥技術(shù)的困難、廢水廢氣的處理等。尋求解決上述問題的過程中，發(fā)現(xiàn)改用氣相清洗技術(shù)是一個 途徑。
隨著微電子新材料的使用和微器件特征尺寸的進一步減小，迫切需要一種更具選擇性、更 、更容易控制的清潔清洗技術(shù)，在后道工序中銅引線、焊盤、鍵合等都需要進行有機污染物的清洗，用濕法清洗也很難達到目的。
在執(zhí)行晶圓的前、后段工藝過程時，晶圓需要經(jīng)過無數(shù)次的清洗步驟，其次數(shù)取決于晶圓的設(shè)計和互連的層數(shù)。此外，由于清洗工藝過程不僅要剝離晶圓表面的光刻膠，同時還 復雜的腐蝕殘余物質(zhì)，金屬顆粒以及其他污染物等，所以清洗過程是及其復雜的過程。
3 清洗介質(zhì)的選擇
從濕法清洗的實踐中，越來越多出現(xiàn)難于解決的問題時，迫使科技人員探索和尋找替代的技術(shù)，除了如增加超聲頻率(采用MHz技術(shù))等補救方法之外，途徑就是選擇氣相清洗技術(shù)來替代(熱氧化法、等離子清洗法等)。選擇清洗介質(zhì)，即清洗劑是設(shè)備設(shè)計、清洗流程、工藝的前提，根據(jù)現(xiàn)代清洗技術(shù)中的關(guān)鍵要求，結(jié)合當前材料科技發(fā)展中出現(xiàn)的新觀念、新成果，把目光集中到超臨界、超凝態(tài)，常壓低溫等離子體等介于氣、液相的臨界狀態(tài)物質(zhì)是順理成章的事。
3.1 超臨界清洗劑
氣相清洗方法，使晶圓在氣相加工過程中可以一直保持在真空是內(nèi)，避免污染，因而增加了成品率，并降低了成本，氣相清洗方法采用了非常重要的CO2，超臨界CO2技術(shù)是使CO2成為液態(tài)，用高壓壓縮成一種介于液體和氣體之間的流體物質(zhì)，"超臨界"狀態(tài)。這種流體與固體接觸時，不帶任何表面張力，因此能滲透到晶圓內(nèi)部深的光刻位置，因而可以剝離更小的顆粒。此外，流體的粘度很低，可以 掉晶圓表面的無用固體。采用超臨界流體清洗給組合元件圖案造成的損傷少并可以對Si基板的侵蝕和不純物的消費?？蓪ψ⑷腚x子的光敏抗腐·蝕劑掩模用無氧工藝進行剝離。
引進超臨界流體清洗技術(shù)，清洗方法以不使用液體為主流，預計到2020年，可達到幾乎 不使用液體的超臨界流體清洗或者針點清洗成為主要的清洗方法，超臨界流體清洗的革新點在于可以解決現(xiàn)有清洗方法中的兩個弊端，即清洗時，損傷晶片、或組合元件和污染環(huán)境的問題。
3.2 超凝態(tài)過冷動力學清洗
運用氬和氮的懸浮來清洗，是一種干法氣相無感光系統(tǒng)，不會損壞薄膜層，環(huán)境的影響小，不易燃等優(yōu)點外，還具有廉價并易于操作的特點。氣霧與晶圓表面污染粒子相撞將動能傳遞到污染粒子上，當該能量大于污染粒子與晶圓表面的附著能時，污染粒子便脫離晶圓表面，攜帶被排走。清洗方法使用的是惰性氣體，可以 的置于IC生產(chǎn)線的任何地方。此類清洗設(shè)備以超凝態(tài)過冷動力學為技術(shù)核心，可用于清洗集成電路關(guān)鍵尺寸在90nm以下、片徑φ200-300mm的晶圓，單片清洗，具有很高自動化程度。該清洗工藝的典型插入點為淀積前后清洗、CMP后清洗、刻蝕后清洗以及在線電子質(zhì)量測量后清洗，應(yīng)對各種與擴散前清洗相關(guān)的挑戰(zhàn)、前段制造光刻膠剝離和去膠灰化后清洗、后段制造去膠灰化后清洗和塵埃 等，目前，掌握超凝態(tài)過冷動力學清洗技術(shù)并應(yīng)用該技術(shù)生產(chǎn)的清洗設(shè)備基本上被FSI公司所壟斷。
3.3 常壓低溫等離子體清洗
等離子清洗有物理清洗和化學清洗(表面改性)兩種方式。前者稱為RIE方式，后者稱為PE方式。將激發(fā)到等離子態(tài)的活性粒子與表面分子反應(yīng)，而產(chǎn)物分析進一步解析形成氣相殘余物而脫離表面。
光阻材料，一般利用酸或堿水溶劑、無水有機溶液，或用氧或氟等強氧化元素的射頻等離子反應(yīng)。經(jīng)上述方法處理后，芯片要用高純度的水進行清洗，再用異丙醇干燥芯片表面。一個標準規(guī)模的芯片廠正常生產(chǎn)一·天，要產(chǎn)生數(shù)百萬加侖的污水。如果利用常壓輝光冷等離子體所產(chǎn)生的活性物質(zhì)對有機污染和光刻膠進行清洗是替代濕法化學方法的一種綠色手段，是被人們十分關(guān)注的根本治理污染的技術(shù)。國內(nèi)在常壓低溫等離子體清洗設(shè)備的研制是從2003年開始，由中科院光電研究所和中科院微電子研究所聯(lián)合成立了常壓均勻冷等離子體技術(shù)研制課題組，在短短的兩年時間內(nèi)，先后成功研制出各種噴口直徑和形狀的常壓射頻冷等離子體噴槍設(shè)備，并申請了幾個相關(guān)設(shè)備專利。
3.4 低溫冷凝噴霧技術(shù)
隨著90nm節(jié)點技術(shù)時代的到來，無論從經(jīng)濟學角度還是從技術(shù)發(fā)展角度看，單純依靠損失原料換取硅片表面潔凈的方法必將被淘汰。這種干法清洗技術(shù) 地避免了由兆聲清洗等傳統(tǒng)清洗技術(shù)所造成的硅片表面物理損傷，并 地降低了由濕法腐蝕清洗所造成的原材料損失，并且不會改變硅片的表面物理特征以及化學特性，同時還克服了由于使用低k半導體材料的疏水特性所帶來的的清洗困難等難題。
4 清洗方式的改進
整個半導體行業(yè)正在經(jīng)歷著重要的技術(shù)轉(zhuǎn)型，傳統(tǒng)的批式處理方法已經(jīng)無法適應(yīng)濕式清洗應(yīng)用，制造工藝過程也需探索其他新型清洗步驟，從而確保重要的器件規(guī)格、性能以及可靠性不會受到污染物的影響。此外，批式濕式處理也無法滿足如快速熱處理(RTP)等工藝的關(guān)鍵擴散和CVD技術(shù)。
4.1 針點式清洗
將清洗晶片的清洗方式轉(zhuǎn)換為針點式的技術(shù)革新，使得清洗技術(shù)的作用已經(jīng)能夠達到原子級的表面控制。這種清洗技術(shù)可以降低半導體產(chǎn)業(yè)的環(huán)境負荷。
針點式清洗是將粒子一點一點地 的方式，故又被稱為針點清洗方式。"針點清洗"，能夠 通過濕式清洗和超臨界流體清洗不能 除去的在晶片上殘留的粒子。針點清洗時，用激光 粒子的激光清洗或是使用端部尖銳的微小探針除去粒子的納米針點清洗等。這些技術(shù)與超臨界流體的清洗相同，它不使用藥液和純水。此項工作現(xiàn)在還只限于對除去粒子的原理進行驗證的階段，今后應(yīng)該將高處理能力的裝置開發(fā)和粒子檢測技術(shù)結(jié)合起來進行統(tǒng)合的技術(shù)開發(fā)。
4.2 單晶圓處理技術(shù)
通過使用單晶圓技術(shù)可以有提高100nm及其以下工藝的成品率。對于更小線寬的300mm晶圓，晶圓的成本太高，清洗晶圓的風險也高，使用單晶圓技術(shù)可使制造商能夠在更小規(guī)模的生產(chǎn)線上以更少的設(shè)備投入生產(chǎn)出與大型生產(chǎn)線數(shù)量相同的芯片。單晶圓處理技術(shù)與批式處理系統(tǒng)競爭的關(guān)鍵之處在于產(chǎn)能，即它 能夠達到要求的濕式清洗平臺每小時150～200只晶圓的產(chǎn)能。
5 環(huán)境保護與IC清洗
環(huán)境問題是個社會性問題，清洗對環(huán)境的影響已被提到日程上來，開發(fā) 能減低環(huán)境負荷的新技術(shù)，可以說是當前清洗技術(shù)迫切需要解決的一項重大課題。
半導體架構(gòu)導致的環(huán)境污染是半導體制造商大量用H2SO4或HCl，
NH4OH等的藥液和水進行RCA清洗所引起的環(huán)境污染。
清洗技術(shù)中使用的氟利昂等ODS物質(zhì)，破壞地球高空的臭氧層，形成度臭氧洞"，危害人類生態(tài)環(huán)境。1987年通過了《關(guān)于消耗臭氧層物質(zhì)的蒙特利爾議定書》，規(guī)定了消耗臭氧層物質(zhì)的生產(chǎn)量和消費量限制的進程，加快了淘汰步伐，要求清洗行業(yè)提前到2006年。研究使用于 規(guī)模集成電路的用的新型電子工業(yè)清洗劑和替代氟利昂等ODS物質(zhì)的清洗劑是當務(wù)之急。
氣相清洗技術(shù)中的清洗劑應(yīng)該探索容易與污染物進行分離再·生，重新凈化的技術(shù)方案，循環(huán)使用的清洗劑必然會減輕環(huán)境壓力。
6 清洗設(shè)備的國產(chǎn)化道路
集成電路制造業(yè) 清洗設(shè)備以及相應(yīng)的清洗工藝技術(shù)的研究 與集成電路技術(shù)日新月異的發(fā)展相協(xié)調(diào)。面對晶圓尺寸的不斷擴大與芯片關(guān)鍵尺寸的不斷縮小的實際情況，硅片清洗技術(shù) 同步快速發(fā)展以滿足芯片制造業(yè)對 設(shè)備的要求。同時，新型的 清洗設(shè)備及其相關(guān)工藝技術(shù)的研究與開發(fā)是對下一代芯片技術(shù)的高成品率和高性能特點的重要保證。各清洗設(shè)備廠家已經(jīng)開始在提供面向新一代無損傷和刻蝕損耗新設(shè)備、新工藝領(lǐng)域展開了激戰(zhàn)。
面對半導體設(shè)備技術(shù)被世界少數(shù)發(fā)達國家的設(shè)備制造商壟斷的局勢與 大陸地區(qū)半導體行業(yè)及微電子產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展形勢，過程實施了863計劃，國產(chǎn)的硅片研磨清洗機、化學濕臺，等離子清洗機、管殼封裝清洗及為代表的設(shè)備已進入了半導體芯片制作和后封裝全過程。
但是行業(yè)內(nèi)對半導體清洗設(shè)備的需求不斷增加，而現(xiàn)有的半導體清洗技術(shù)已經(jīng)無法滿足需求的情況，導致大量半導體設(shè)備依靠進口。2005年 芯片設(shè)備的采購和使用量占 采購量的25%，其中清洗設(shè)備將占到請求清洗設(shè)備市場的5%。
一代技術(shù)、需要一代設(shè)備，我國的半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)是一個相對落后的產(chǎn)業(yè)，芯片制造過程的 產(chǎn)品的生產(chǎn)設(shè)備、材料等幾乎 依賴進口，這種形勢的改變是需要時日，需要工程技術(shù)界的不懈努力，更需要國家加大投入，組織 才智攻破技術(shù)禁區(qū)，使得我們在半導體制造設(shè)備領(lǐng)域真正占領(lǐng)一席之地。
